SEMICONDUTORES E CONDUTORES

Carbeto de Silício (SiC)

 

Aplicações: refratários aplicados na metalurgia e indústrias pesadas, tanques de combustíveis em reatores nucleares, receptores ultravioletas, varistores [1,5], selos mecânicos, mancais e bicos e troca de calor (tubos e proteção) [1]. Dispositivos eletrônicos que exijam alta potência, alta frequência e temperatura de ate 500°C, capacitando-o a aplicações aeroespaciais, nucleares, satélites, caldeiras, industriais, entre outras [2]. Diodos emissores de luz azul, transistores, materiais compósitos e dispositivos semicondutores [4]. Revestimentos em barras de reatores nucleares, suporte para catalisadores na indústria petroquímica, LEDs, sensores, sistemas de ignição par jatos, termistores e dispositivos de proteção contra descargas elétricas [5].

 

Características:

• dureza [1, 3, 5,8,9];

• alta estabilidade térmica [1, 2, 3,8];

• resistência a elevadas temperaturas [1,5.9];

• alta resistência para irradiação [1];

• resistividade elétrica [1];

• propriedades semicondutoras [1];

• resistência a ácidos e bases [1];

• resistência à abrasão [1];

• elevada condutividade [1, 2,3,5,8,9];

• resistência à corrosão [1];

• elevado campo de ruptura dielétrica [2,3];

• alta velocidade de saturação [2];

• alta resistência a ambientes químicos hostis [3,9];

• alta resistência a danos por radiação [2,3];

• inércia química [3,9];

• larga banda proibida [3] ;

• alta velocidade de deriva dos elétrons [3];

• infusível à pressão atmosférica [3]

• boa mobilidade como carregador [4];

• excelente estabilidade física [4];

• baixa densidade  [5,8];

• resistência ao desgaste [5,8,9]; 

• boa resistência ao impacto  [5];

• resistência a oxidação [5,9];

• boa resistência ao choque térmico [8,9];

• opera em altas frequências e altas voltagens [9];

• elevada refratariedade [9].

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Referências:

1. SANTANA, Jerusa Góes Aragão. Desenvolvimento de Cerâmicas Multicamadas de Carbeto de Silício Destinadas a Aplicações Térmicas. Brasil, 2010. Tese (Doutorado em Engenharia Mecânica) - Universidade Estadual Paulista, Guaratinguetá, 2010. 
    

2. PITTHAN FILHO, Eduardo. Filmes de SiO2 depositados e crescidos termicamente sobre SiC: caracterização físico-química e elétrica. Brasil, 2013. Dissertação (Mestrado em Mircroeletrônica) – Programa Pós-Graduação em Microeletrônica, Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Porte Alegre, 2013.
    

3. ROSA, Aline Tais Da. Investigação da interface entre filmes dielétricos crescidos termicamente e o carbeto de silício monocristalino com potencial uso em microeletrônica. Brasil, 2013. Dissertação (Mestrado em Mircroeletrônica) – Programa Pós-Graduação em Microeletrônica, Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Porte Alegre, 2012.
    

4. GOZZI, Mauricio Fernando. Polissilanos como precursores para carbeto de silício. Brasil, 1995. Dissertação (Mestrado) – Universidade Estadual de Campinas, Campinas, 1995.
    

5. MARINS, Eleasar Martins. Otimização e caracterização microestrutural de cerâmicas de carbeto de silício obtidas com material nacional para uso em blindagem balística. Brasil, 2008. Tese (Doutorado em Engenharia Mecânica) – Universidade Estadual Paulista, Guaratinguetá, 2008.
    

6. NETO, Amador Lombello. Microestrutura e resistência mecânica de junções de nitreto de silicio / Ag-Cu-Ti obtidas através de brasagem. Brasil, 1994. Dissertação (Mestrado em Engenharia Mecânica) – Universidade Estadual de Campinas, Campinas, 1994.
    

7. JÚNIOR, A. FRANCO. ; SHANAFIELD, D. J. Condutividade térmica de cerâmicas policristalinas de nitreto de alumínio (AlN). Cerâmica, v.50, n.315, p.247, 2004.
    

8. BONDIOLI, M.J. ; SANTOS, C.; STRECKER, K.  Estudo da oxidação de cerâmicas à base de carbeto de silício sinterizado via fase líquida utilizando nitreto de alumínio e óxido de ítrio como aditivos. Cerâmica, v. 54, n.330, p.198-202, abril 2008.
    

9. ABEL, João Luís. Obtenção do carboneto de silício pela redução carbotérmica da sílica. Brasil, 2009. Dissertação (Mestrado em Ciências na Área de Tecnologia Nuclear- Materiais) - Universidade de São Paulo, São Paulo, 2009.
   
    

10. CALLISTER, Jr. W. D. Ciência e engenharia de materiais: uma introdução. 8. ed. Rio de Janeiro: LTC, 2013