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Nitreto de Alumínio (AlN)

 

Aplicações: fabricação de circuitos integrados que geram elevada quantidade de calor em operação [1]. Aplicações concentram-se principalmente na fabricação de dispositivos eletrônicos [1,2], como substrato e material de encapsulamento para dispositivos eletrônicos, além de ser empregado na fabricação de absorvedor de calor (heat sink), espalhador de calor para laser, ferramenta de corte, componente para sistema óptico-eletrônico e cadinho de fundição [3]. Aplicação na área de ondas acústicas de superfície [5,6] e aplicações para altas frequências, como por exemplo, telefonia celular [5]. Passivação de semicondutores, ressoadores de filmes finos (TFR), dispositivos ópticos acústicos (AO), dispositivos micro eletromecânicos, dispositivos sensores de pH e dispositivos metal isolante semicondutor (MIS) [6].

 

Características:

  • elevada condutividade térmica [1, 2, 3,6];

  • excelentes propriedades físicas [1];

  • propriedades elétricas [1];

  • elevada resistência à ruptura dielétrica [1,3];

  • baixas perdas de energia em alta frequência [1];

  • elevada resistividade elétrica [1,5];

  • baixo coeficiente de expansão térmica [1,3], próximo ao do silício [6];

  • boa dissipação de calor [2];

  • ampla banda de energia [2];

  • boas propriedades mecânicas [3];

  • maior coeficiente piezelétrico [5,6];

  • elevada dureza [5];

  • resistência à corrosão [5];

  • grande taxa de propagação acústica [5];

  • baixas perdas de transmissão [5];

  • elevada estabilidade química [6];

  • emissor de luz azul e ultravioleta [6]. 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Referências: 

  1. MOLISANI, André Luiz. Sinterização do nitreto de alumínio com compostos contendo cálcio. Brasil, 2004. Dissertação (Mestrado em Engenharia Metalúrgica e de Materiais) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2004.
     

  2. BALDACIM, S. A.; SILVA, O. M. M.; SANTOS, C.; SILVA, C. R. M. Estudo do nitreto de alumínio para aplicações termo-mecânicas. Cerâmica, v. 5, n.320, p.349, 2005.
     

  3. MOLISANI, A. L.; GOLDENSTEIN, H.; YOSHIMURA, H. N. Efeitos do carbono na evolução de segundas-fases e na densificação do nitreto de alumínio com Y2O3. Cerâmica, v.56, n.340, p.33, 2010.
     

  4. JÚNIOR, A. FRANCO. ; SHANAFIELD, D. J. Condutividade térmica de cerâmicas policristalinas de nitreto de alumínio (AlN), Cerâmica. V. 50, n.315, p.247, 2004.
     

  5. PELEGRINI, Marcus Vinícius. Estudo de materiais piezoelétricos da família III-V obtidos por sputtering reativo visando sua aplicação em sensores e MEMS. Brasil, 2010. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2010. 
     

  6. SOUZA, Jair Fernandes de. Desenvolvimento de materiais e métodos de fabricação de sensores químicos/bioquímicos baseados em silício e nanoestruturas de carbono (ISFET, CNTFET e GraFET). Brasil, 2012. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) – Programa Pós-Graduação em Engenharia Elétrica, Universidade Estadual de Campinas, Campinas, 2012.
     

  7. RODRIGUES, Cloves Gonçalves. Termodinâmica estatística e transporte em semicondutores de gap largo em campos elétricos moderados para intensos. Brasil, 2011. Tese (Doutorado em Ciências) - Universidade Estadual de Campinas, Campinas, 2001. 

São Leopoldo, 2014.

Desenvolvido por: Manuela Prediger; Eliana Hoffmeister; Sofia Kohl; Giovanna Pierezan; Bruna Ruschel.

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