SEMICONDUTORES E CONDUTORES

Silício (Si)

 

Aplicações: dispositivos microeletrônicos, fotovoltaicos e optoeletrônicos [2].  Utilizado principalmente na microeletrônica [4,9]; fabricação de computadores [9].

 

Características:

• excelentes propriedades físicas [2];

• apresenta óxido nativo (SiO2) que propicia a criação de interfaces semicondutor/‎isolante de altíssima qualidade (com uma concentração muito baixa de defeitos) [4,7,11];

• estrutura de bandas cria um gap indireto [4,7,8,11,12];

• desvantagem no que diz respeito à emissão de luz [4,7,11];

• fácil purificação para a forma monocristalina [5];

• excelentes propriedades materiais e de processamento [7];

• encontrado em abundância na natureza [7,9,11];

• menor mudança em suas propriedades devido a variações na temperatura [7];

• barato [8,9];

• resistência térmica relativamente baixa [8];

• boas características mecânicas [8];

• manufaturado de diversas maneiras (fisicamente e eletroquimicamente) [9];

• pode ser altamente purificado [11];

• boa compatibilidade com a indústria microeletrônica [11];

• eficiência óptica baixa [11];

• excelentes propriedades mecânicas [8,11], químicas e elétricas [11].

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Referências:

1. PITTHAN FILHO, Eduardo. Filmes de SiO2 depositados e crescidos termicamente sobre SiC: caracterização físico-química e elétrica. Brasil, 2013. Dissertação (Mestrado em Microeletrônica) – Programa Pós-Graduação em Microeletrônica, Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Porte Alegre, 2013.

    

2. MARCONDES, Tatiana Lisbôa. Formação de nanopartículas de Sn e PbSe via implantação iônica em Si(100). Brasil, 2009. Tese (Doutorado em Microeletrônica) - Programa de Pós-Graduação em Microeletrônica, Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Porto Alegre, fevereiro de 2009.
    

3. BIZETTO, César Augusto. Caracterização das propriedades dosimétricas de diodos de silício empregados em radioterapia com feixe de fótons. Brasil, 2013. Dissertação (Mestrado em Ciências na Área de Tecnologia Nuclear - Aplicações) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2013.
    

4. PESENTI, Giovani Cheuiche. Modificações de características elétricas de estruturas semicondutoras III-V através de bombardeamento com íons. Brasil, 2004. Dissertação (Mestrado em Física) – Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Porto Alegre, 2004. 
    

5. SOUZA, Daniel Cardoso De. Projeto de um circuito integrado divisor de frequências/contador de década em tecnologia GaAs- família DCFL - para operação com clock na faixa de 1 GHz. Brasil, 1998. Dissertação (Mestrado de Engenharia Elétrica) – Universidade Estadual de Campinas, Campinas, 1998.
    

6. BOM, Nicolau Molina. Propriedades físico-químicas de filmes finos de Al2O3 depositados por sputtering sobre Ge. Brasil, 2011. Dissertação (Mestrado em Física) – Programa Pós-Graduação em Física, Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Porto Alegre, setembro 2011.  
    

7. SOMBRIO, Guilherme. Fotoluminescência de nitreto de silício não estequiométrico depositado por sputtering reativo. Dissertação (Pós-Graduação em Microeletrônica) - Programa Pós-Graduação em Microeletrônica, Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Porte Alegre, 2012. 
    

8. CARVALHO, Daniel Orquiza de. Desenvolvimento de processos de fabricação de dispositivos óptico integrados em tecnologia de silício para aplicação em sensoriamento. Brasil, 2012. Tese (Douturado em Ciências) - Universidade de São Paulo, São Paulo, 2012. 
    

9. RAIMUNDO, Daniel Scodeler. Nanoestruturas metálicas e de silício para intensificação de campo próximo. Brasil, 2009. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, São Paulo, 2009.
    

10. ROSA, Aline Tais Da. Investigação da interface entre filmes dielétricos crescidos termicamente e o carbeto de silício monocristalino com potencial uso em microeletrônica. Brasil, 2013. Dissertação (Mestrado em Mircroeletrônica) – Programa Pós-Graduação em Microeletrônica, Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Porte Alegre, 2012.
     

11. SIAS, Uilson Schwantz. Estudo da Influência da Temperatura de Implantação na Fotoluminescência de Nanocristais de Silício. Brasil, 2006. Tese (Doutorado em Ciências) - Programa Pós-graduação em Física, Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Porto Alegre, 2006.
     

12. SILVA JÚNIOR, Ivo Carvalho. Circuito multiplexador de 4 bits, logica DCFL, tecnologia de GaAs, aplicado em comunicação de dados, numa rede SONET/SDH. Brasil, 2000. Tese (Doutorado de Engenharia Elétrica) – Universidade Estadual de Campinas, Campinas, 2000.
     

13. CALLISTER, Jr. W. D. Ciência e engenharia de materiais: uma introdução. 8. ed. Rio de Janeiro: LTC, 2013.