SEMICONDUTORES E CONDUTORES

Germânio (Ge)

 

Aplicação: indústria microeletrônica [1].

 

Características:

• grande mobilidade de seus portadores de carga [1,2];

• dificuldade na fabricação do substrato cristalino [1];

• mobilidade de suas lacunas é consideravelmente superior a de outros semicondutores com alta mobilidade de canal [2];

• baixo ponto de fusão [2];

• baixa temperatura de ativação de dopantes (500 – 600°C) [2];

• processamento semelhante ao do Si, possibilitando o aproveitamento da infraestrutura pré-existente, e os dopantes e seus métodos de ativação são similares [2];

• instabilidade térmica do dióxido de germânio [2];

• altamente reativo [2];

• menor banda proibida que o Si. Essa característica reduz a tensão de alimentação necessária para o funcionamento de dispositivos e, na prática, traduz-se como menor consumo de energia elétrica. O menor gap também facilita a integração optoeletrônica dos dispositivos [1,2] .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Referências: 

1. JÚNIOR, Jumir Vieira de Carvalho. Passivação da superfície do germânio visando ao uso em Nanoeletrônica. Brasil, 2009. Dissertação (Mestrado em Física) – Programa Pós-Graduação em Física, Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Porto Alegre, julho de 2009. 
    

2. BOM, Nicolau Molina. Propriedades físico-químicas de filmes finos de Al2O3 depositados por sputtering sobre Ge. Brasil, 2011. Dissertação (Mestrado em Física) – Programa Pós-Graduação em Física, Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Porto Alegre, setembro 2011.
    

3. BIZETTO, César Augusto. Caracterização das propriedades dosimétricas de diodos de silício empregados em radioterapia com feixe de fótons. Brasil, 2013. Dissertação (Mestrado em Ciências na Área de Tecnologia Nuclear - Aplicações) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2013
    

4. RUBEN, Samuel. Manual de elementos químicos. 1ed. São Paulo : E. Blücher, 1970.